PFA（全氟烷氧基樹脂）薄膜因具備優異的化學惰性、耐高溫性、低析出性、高潔凈度和良好的絕緣性等特性，完美適配半導體制造中高潔凈、強腐蝕、高溫等嚴苛工況，其具體應用貫穿晶圓制造到器件封裝測試的多個核心環節，以下是詳細分類說明：
晶圓制程中的化學防護與隔離
化學藥液輸送與存儲防護：半導體制造的濕法刻蝕、晶圓清洗等環節會大量使用氫氟酸、硫酸、氨水等強腐蝕性化學品。PFA 薄膜常被制成輸送管道的內襯、儲罐的內壁涂層或密封墊片，既能抵御化學品侵蝕，又能避免管道、儲罐材質析出雜質污染藥液，保障晶圓表面處理的純度。
晶圓承載與隔離部件：在晶圓轉移、烘烤等工序中，PFA 薄膜可加工為晶圓承載架的隔離層、托盤的防護墊。其耐高溫（連續使用溫度可達 260℃）且不與晶圓表面材料發生反應，能防止晶圓被承載部件劃傷，同時避免金屬離子等污染物轉移到晶圓上，保護晶圓的精密電路結構。
光刻與薄膜沉積環節的輔助防護
光刻設備的潔凈防護：光刻是半導體制造中定義電路圖案的核心工序，對環境潔凈度和部件穩定性要求極高。PFA 薄膜因低微粒析出、低揮發性，可用于光刻設備中光刻膠輸送管路的防護膜、曝光腔體的密封襯墊，防止雜質顆粒或揮發性物質影響光刻膠涂覆均勻性和曝光精度，避免電路圖案出現缺陷。
等離子體刻蝕的腔體防護：等離子體刻蝕過程中會產生強腐蝕性等離子體和高溫環境，容易侵蝕設備腔體。PFA 薄膜可作為刻蝕腔體的內襯材料，其耐等離子體腐蝕和耐高溫的特性，能延長腔體使用壽命，同時減少腔體材質損耗產生的雜質，保證刻蝕工藝的一致性，提升芯片電路的刻蝕精度。
半導體封裝與測試環節的應用
封裝過程的絕緣與防護：在芯片封裝階段，PFA 薄膜可作為引線框架、基板的絕緣隔離層。其優良的電絕緣性和耐溫性，能避免封裝內部不同電路間發生短路，同時抵御封裝固化過程中的高溫環境，保障封裝結構的穩定性；此外，還可用于封裝模具的脫模膜，因 PFA 表面張力極低，能減少封裝材料與模具的粘連，提升封裝效率。
測試治具的防護涂層：半導體器件測試時，測試治具需頻繁接觸芯片引腳等精密部位。將 PFA 薄膜涂覆在測試探針、治具觸點表面，既能利用其化學惰性避免治具與芯片金屬觸點發生氧化或化學反應，又能通過其潤滑性減少接觸磨損，保證測試數據的準確性和治具的使用壽命。
其他輔助應用
真空系統密封與防護：半導體制造中很多工序（如濺射、氣相沉積）需在高真空環境下進行。PFA 薄膜可制成真空系統的密封墊圈、密封圈，其密封性強且在真空環境下無揮發性物質釋放，能維持系統真空度穩定，同時防止外部雜質進入真空腔體污染制程環境。
防靜電改性輔助應用：通過改性處理的抗靜電 PFA 薄膜，可用于半導體部件的包裝材料或車間防靜電襯墊。在晶圓、芯片的轉運和存儲中，既能避免靜電吸附灰塵雜質，又能防止靜電擊穿芯片內的敏感電路，降低器件損壞風險。
網站首頁 > 新聞中心 > 常見問題 > 
